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1、應用于電源電路，實現旁路、去藕、濾波和儲能的作用，下面分類詳述之：

1）旁路

旁路電容是為本地器件提供能量的儲能器件，它能使穩壓器的輸出均勻化，降低負載需求。就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進行放電。為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負載器件的供電電源管腳和地管腳。這能夠很好地防止輸入值過大而導致的地電位抬高和噪聲。地彈是地連接處在通過大 電流毛刺時的電壓降。

2）去藕

去藕，又稱解藕。從電路來說，總是可以區分為驅動的源和被驅動的負載。如果負載電容比較大，驅動電路要把電容充電、放電，才能完成信號的跳變，在上升沿比較陡峭的時候，電流比較大，這樣驅動的電流就會吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會產生反彈），這種電流相對 于正常情況來說實際上就是一種噪聲，會影響前級的正常工作。這就是耦合。

去藕電容就是起到一個電池的作用，滿足驅動電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。

將旁路電容和去藕電容結合起來將更容易理解。旁路電容實際也是去藕合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關噪聲提高一條低阻抗泄防 途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據諧振頻率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合電容一般比較大，是10uF或者更大，依據電路中分布參數，以及驅動 電流的變化大小來確定。

旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象，而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象，防止干擾信號返回電源。這應該是他們的本質區別。

3）濾波

從理論上（即假設電容為純電容）說，電容越大，阻抗越小，通過的頻率也越高。但實際上超過1uF的電容大多為電解電容，有很大的電感成份，所以頻率 高后反而阻抗會增大。有時會看到有一個電容量較大電解電容并聯了一個小電容，這時大電容通低頻，小電容通高頻。電容的作用就是通高阻低，通高頻阻低頻。電容越大低頻越容易通過，電容越大高頻越容易通過。具體用在濾波中,大電容(1000uF)濾低頻，小電容(20pF)濾高頻。曾有網友將濾波電容 比作“水塘”。由于電容的兩端電壓不會突變，由此可知，信號頻率越高則衰減越大，可很形象的說電容像個水塘，不會因幾滴水的加入或蒸發而引起水量的變化。它把電壓的變動轉化為電流的變化，頻率越高，峰值電流就越大，從而緩沖了電壓。濾波就是充電，放電的過程。

4）儲能

儲能型電容器通過整流器收集電荷，并將存儲的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。電壓額定值為40～450VDC、電容值在220～150 000uF之間的鋁電解電容器（如EPCOS公司的B43504或B43505）是較為常用的。根據不同的電源要求，器件有時會采用串聯、并聯或其組合的形式，對于功率級超過10KW的電源，通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。

2、應用于信號電路，主要完成耦合、振蕩/同步及時間常數的作用：

1）耦合

舉個例子來講，晶體管放大器發射極有一個自給偏壓電阻，它同時又使信號產生壓降反饋到輸入端形成了輸入輸出信號耦合，這個電阻就是產生了耦合的元 件，如果在這個電阻兩端并聯一個電容，由于適當容量的電容器對交流信號較小的阻抗,這樣就減小了電阻產生的耦合效應，故稱此電容為去耦電容。

2）振蕩/同步

包括RC、LC振蕩器及晶體的負載電容都屬于這一范疇。

3）時間常數

這就是常見的R、C串聯構成的積分電路。當輸入信號電壓加在輸入端時，電容（C）上的電壓逐漸上升。而其充電電流則隨著電壓的上升而減小。電流通過電阻（R）、電容（C）的特性通過下面的公式描述：

    i = (V/R)e-(t/CR)

通常音頻電路中包括濾波、耦合、旁路、分頻等電容，如何在電路中更有效地選擇使用各種不同類型的電容器對音響音質的改善具有較大的影響。

1.耦合電容

　　耦合電容的容量一般在0.1μF～1μF之間，以使用云母、丙烯、陶瓷等損耗較小的電容音質效果較好。

2.前置放大器、分頻器等

　　前置放大器、音頻控制器、分頻器上使用的電容，其容量在100pF～0.1μF之間，而揚聲器分頻LC網絡一般采用1μF～數10μF之間容量較大的電容，目前高檔分頻器中采用CBB電容居多。小容量時宜采用云母，苯乙烯電容。而LC網絡使用的電容，容量較大，應使用金屬化塑料薄膜或無極性電解電容器，其中無機性電解電容如采用非蝕刻式，則更能獲取極佳音質。

3.濾波電容

　　整流后由于濾波用的電容器容量較大，故必須使用電解電容。濾波電容用于功率放大器時，其值應為10000μF以上，用于前置放大器時，容量為1000μF左右即可。當電源濾波電路直接供給放大器工作時，其容量越大音質越好。但大容量的電容將使阻

抗從10KHz附近開始上升。這時應采取幾個稍小電容并聯成大電容同時也應并聯幾個薄膜電容，在大電容旁以抑制高頻阻抗的上升，如下圖所示。

　　　　圖1濾波電路的并聯

電容基礎知識

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一、電容的作用和分類

　　電容(Electric capacity)，由兩個金屬極，中間夾有絕緣材料（介質）構成。由于絕緣材料的不同，所構成的電容器的種類也有所不同：

按結構可分為：固定電容，可變電容，微調電容。

按介質材料可分為：氣體介質電容，液體介質電容，無機固體介質電容，有機固體介質電容電解電容。

按極性分為：有極性電容和無極性電容。我們最常見到的就是電解電容。

電容在電路中具有隔斷直流電，通過交流電的作用，因此常用于級間耦合、濾波、去耦、旁路及信號調諧

三、電容的單位

　　電阻的基本單位是：F（法），此外還有μF（微法）、pF（皮法），另外還有一個用的比較少的單位，那就是：nF（），由于電容F的容量非常大，所以我們看到的一般都是μF、nF、pF的單位，而不是F的單位。他們之間的具體換算如下：

1F＝1000000μF

1μF=1000nF=1000000pF

二、電容的符號

　　電容的符號同樣分為國內標表示法和國際電子符號表示法，但電容符號在國內和國際表示都差不多，唯一的區別就是在有極性電容上，國內的是一個空筐下面一根橫線，而國際的就是普通電容加一個“＋”符號代表正極。

五、電容的耐壓單位：V（伏特）

　　每一個電容都有它的耐壓值，這是電容的重要參數之一。普通無極性電容的標稱耐壓值有：63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等，有極性電容的耐壓值相對要比無極性電容的耐壓要低，一般的標稱耐壓值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。

六、電容的種類

　　電容的種類有很多，可以從原理上分為：無極性可變電容、無極性固定電容、有極性電容等，從材料上可以分為：CBB電容（聚乙烯），滌綸電容、瓷片電容、云母電容、獨石電容、電解電容、鉭電容等。下表是各種電容的優缺點：

各種電容的優缺點：

極性名稱制作優點缺點

無無感CBB電容2層聚丙乙烯塑料和無感，高頻特性不適合做大容量，

2層金屬箔交替夾雜好，體積較小價格比較高

然后捆綁而成。耐熱性能較差。

無CBB電容2層聚乙烯塑料和有感，其他同上?br /> 2層金屬箔交替夾雜

然后捆綁而成。

無瓷片電容薄瓷片兩面渡金屬膜體積小，耐壓高，易碎！容量低

銀而成。價格低，頻率高

（有一種是高頻電容）

無云母電容云母片上鍍兩層金屬容易生產，技術體積大，容量小，

薄膜含量低溫度穩定（幾乎沒有用了）

性好

無獨石電容體積比CBB更小，

其他同CBB，有感

有電解電容兩片鋁帶和兩層絕緣容量大。高頻特性不好。

膜相互層疊，轉捆后

浸泡在電解液（含酸

性的合成溶液）中。

有鉭電容用金屬鉭作為正極，穩定性好，容量大，造價高。（一般

在電解質外噴上金屬高頻特性好。用于關鍵地方）

作為負極。

七、電容的標稱及識別方法

　　由于電容體積要比電阻大，所以一般都使用直接標稱法。如果是10n，那么就是10nF，同樣100p就是100pF。如果是4n7就是4.7nF，不標單位的直接表示法：用1～4位數字表示，即指數標識，容量單位為pF，如獨石和一些瓷片電容，一般就用指數形式，471就代表47×10^1 pF=470pF。

瓷片電容也有直接標識容量的，單位就是pF。

鉭電容，一般直接標識數值，常見單位莡F。

（電容數字標識部分由pongo網友補充，在此表示感謝！）

色碼表示法：沿電容引線方向，用不同的顏色表示不同的數字，第一，二種環表示電容量，第三種顏色表示有效數字后零的個數（單位為pF）

顏色意義：黑=0、棕=1、紅=2、橙=3、黃=4、綠=5、藍=6、紫=7、灰=8、白=9。

電容的識別：看它上面的標稱，一般有標出容量和正負極，比如鉭電容上，有白線的一端就是正極，另外像電解電容，就用引腳長短來區別正負極長腳為正，短腳為負。

電阻電容序列值

電容容值系列

【單位pF】

3 P 5 P 8 P 10 P 12 P 15 P 20 P 39 P 43 P 47 P

51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P 100P 120P 150P

180P 200P 220P 240P 270P 300P 330P 360P 390P 470P

560P 620P 680P 750P

【單位nF】

1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6

10 15 18 22 27 33 39 56 68 82

【單位uF】

0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2 3.3

電容的計算方法是這樣的：

AX表示A（一般兩位數）乘上10的x次方pF,因此，104就是0.1uF.

電阻的表示方法也是這樣的。

如103的電阻表示10 000歐姆，即10K，102也就是1K。

有的電容標號474，那么就表示0.47uF加上一些：

電容的基本知識

從事電子電路設計開發的，既有有多年經驗的老手，也有剛入道的新手。每個人都對單片機、DSP、嵌入式系統投入了大量的時間和精力去研究，但是對于電路設計中應用最多、最廣泛的元器件－－電容，又有多少人能搞的很清楚呢？而這正是很多新手的疑惑之一，面對眾多的電容類型：鉭電解、鋁電解、獨石、薄膜、陶瓷、紙介質等，各種各樣的封裝形式：貼片、針式、方塊、不規則等，不同的應用領域：去耦、濾波、高頻、低頻、諧振、開關電源中的應用等，您是否能做出正確的選擇呢？建議大家多加補充，一方面相互學習，另一方面對新手也是一個幫助。在下拋磚引玉，引用其它網站的一些文章，（該網站名已經記不得了，現對其表示感謝）

名稱：聚酯（滌綸）電容（CL）

符號：

電容量：40p--4u

額定電壓：63--630V

主要特點：小體積，大容量，耐熱耐濕，穩定性差

應用：對穩定性和損耗要求不高的低頻電路

名稱：聚丙烯電容（CBB）

符號：

電容量：1000p--10u

額定電壓：63--2000V

主要特點：性能與聚苯相似但體積小，穩定性略差

應用：代替大部分聚苯或云母電容，用于要求較高的電路

名稱：云母電容（CY）

符號：

電容量：10p--0。1u

額定電壓：100V--7kV

主要特點：高穩定性，高可靠性，溫度系數小

應用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路

名稱：聚苯乙烯電容（CB）

符號：

電容量：10p--1u

額定電壓：100V--30KV

主要特點：穩定，低損耗，體積較大

應用：對穩定性和損耗要求較高的電路

名稱：空氣介質可變電容器

符號：

可變電容量：100--1500p

主要特點：損耗小，效率高；可根據要求制成直線式、直線波長式、直線頻率式及對數式等

應用：電子儀器，廣播電視設備等

名稱：薄膜介質可變電容器

符號：

可變電容量：15--550p

主要特點：體積小，重量輕；損耗比空氣介質的大

應用：通訊，廣播接收機等

名稱：高頻瓷介電容（CC）

符號：

電容量：1--6800p

額定電壓：63--500V

主要特點：高頻損耗小，穩定性好

應用：高頻電路

名稱：低頻瓷介電容（CT）

符號：

電容量：10p--4。7u

額定電壓：50V--100V

主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩定性差

應用：要求不高的低頻電路

名稱：玻璃釉電容（CI）

符號：

電容量：10p--0。1u

額定電壓：63--400V

主要特點：穩定性較好，損耗小，耐高溫（200度）

應用：脈沖、耦合、旁路等電路

名稱：鋁電解電容

符號：

電容量：0。47--10000u

額定電壓：6。3--450V

主要特點：體積小，容量大，損耗大，漏電大

應用：電源濾波，低頻耦合，去耦，旁路等

名稱：但電解電容（CA）鈮電解電容（CN）

符號：

電容量：0。1--1000u

額定電壓：6。3--125V

主要特點：損耗、漏電小于鋁電解電容

應用：在要求高的電路中代替鋁電解電容

名稱：薄膜介質微調電容器

符號：

可變電容量：1--29p

主要特點：損耗較大，體積小

應用：收錄機，電子儀器等電路作電路補償

名稱：陶瓷介質微調電容器

符號：

可變電容量：0。3--22p

主要特點：損耗較小，體積較小

應用：精密調諧的高頻振蕩回路

獨石電容最大的缺點是溫度系數很高,做振蕩器的穩漂讓人受不了,我們做的一個555振蕩器,電容剛好在7805旁邊,開機后,用示波器看頻率,眼看著就慢慢變化,后來換成滌綸電容就好多了.

獨石電容的特點：

電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩定，耐高溫耐濕性好等。

應用范圍：

廣泛應用于電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。

容量范圍：

0.5PF--1UF

耐壓：二倍額定電壓。

里面說獨石又叫多層瓷介電容，分兩種類型，1型

性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一種叫

II型，容量大，但性能一般。

就溫漂而言:

獨石為正溫糸數+130左右,CBB為負溫系數-230,用適當比例并聯使用,可使溫漂降到很小.

就價格而言:

鉭,鈮電容最貴,獨石,CBB較便宜,瓷片最低,但有種高頻零溫漂黑點瓷片稍貴.云母電容Q值較高,也稍貴.

電容是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用于隔直，耦合，旁路，濾波，調諧回路，能量轉換，控制電路等方面。電容的頻率特性：隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現下降的規律。電容的型號命名方法：（依據ＧＢ２４７０－８1）第一部分：用字母表示產品的名稱 C第二部分：用字母表示產品的介質材料：A鉭電解 B聚丙乙烯等非極性薄膜 C高頻陶瓷 D鋁電解 E其他材料電解 G合金電解 H紙膜復合 I玻璃鈾 J金屬化紙介 L聚酯等極性有機薄膜 N鈮電解 O玻璃膜 Q漆膜 S,T低頻陶瓷 V,X云母紙 Y云母  Z 紙。注：用B表示除聚苯乙烯外其他電容時，在 B后再加一字母以分別具體材料。用L表示聚酯以外其他薄膜電容時，方法同。電容器的絕緣電阻：直流電壓加在電容上，并產生漏導電流，兩者之比稱為絕緣電阻. 當電容較小時，主要取決于電容的表面狀態，容量〉0.1uf時，主要取決于介質的性能。電容的時間常數：為恰當的評價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。電容的損耗因素：電容在電場作用下因發熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規定了其在某頻率范圍內的損耗允許值，電容的損耗主要由介質損耗，電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。　在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導有關，而且與周期性的極化建立過程有關。薄膜電容目前大量生產的塑料薄膜電容器有聚苯乙烯，聚乙烯，聚丙烯，聚四氟乙烯，聚酯（滌綸），聚碳酸酯，復合膜等。1. CL21/CBB21金屬化膜電容器（CL21-B/CBB21-B金屬化膜盒式），使用金屬化聚酯/聚丙烯薄膜為介質/電極采用無感卷繞方式，環氧樹脂包封而成，具有電性能優良、可靠性好、耐高溫、容量范圍寬，體積小，自愈性好，壽命長的特點，主要應用于電視機、電腦顯示器、節能燈、鎮流器、通訊設備、電腦網絡設備、電子玩具等直流和VHF級信號隔直流、旁路和耦合/高頻、交流、脈沖、耦合電路中起濾波、調頻、隔直流及時間控制等作用。2. CBB22（MKP91）金屬化聚丙烯膜直流電容器。以金屬化聚丙烯膜作介質和電極，用阻燃絕緣材料包封單向引出，具有電性能優良、可靠性好、損耗小及良好的自愈性能。用途：本產品廣泛使用于儀器、儀表、電視機、收音機及家用電器線路中作直流脈動、脈沖和交流將壓用，特別適用于各種類型的節能燈和電子整流器。CBB91 型金屬化聚丙烯電容器特點與用途：絕緣帶外包裹，環氧樹脂灌封，軸向引出。具有高絕緣、低損耗，頻率特性好，等效串聯電阻低等特點。適用于音響的分頻器、功率放大器，及后置補償電路中，也適用于電子設備的直流交流和脈沖電路中。3. CL20 （MKT83）金屬化聚酯膜扁軸向電容器（金屬化滌綸電容）。特點：以金屬化聚酯膜作介質和電極，用阻燃膠帶外包和環氧樹脂密封，具有電性能優良、可靠性好、耐高溫、體積小、容量大及良好的自愈性能。用途：本產品適用于儀器、儀表及家用電器的交直流電路。廣泛用于音響系統分頻電路中。4. CL20/CBB20軸向金屬化膜電容器非感應式結構，具有電性能優良、可靠性好、耐高溫、體積小、容量大，高頻損耗小,過電流能力強,適用于大電流，絕緣電阻高，自愈性好，壽命長，溫度特性穩定，廣泛用于儀器、儀表及家用電器交直流線路，變頻、分頻等交流、大脈沖電路，尤其是高保真要求的音響分頻器電路。5. CL19（MKT82）金屬化聚酯膜圓軸向電容器。特點：以金屬化聚酯膜作介質和電極，用阻燃膠帶外包和環氧樹脂密封，具有電性能優良、可靠性好、耐高溫、體積小、容量大及良好的自愈性能。用途：本產品適用于儀器、儀表及家用電器的交直流電路。廣泛用于音響系統分頻電路中。6. CBBX2（MPX MKP41）金屬化聚丙烯膜抗干擾電容器。采用金屬化鋅鋁聚丙烯膜作介質和電極，用耐高溫阻燃塑殼、環氧樹脂封裝，單向引出結構，該產品有較高抗外電干擾性能，可靠性高、損耗小及良好的自愈特性，有較好的安全防護作用。本產品廣泛使用于彩電、電動工具、無線連接器、跨電源線路、電磁干擾濾波器、電源開關和大功率的電子整流器。7. CBB13型無感電容器。適用：節能燈、鎮流器、彩電及電子整機、電子儀器高頻、直流、交流和大電流脈動電路。8. CL233X超小型電容器（校正電容）使用進口超小型金屬化聚酯膜為介質/電極采用采用無感卷繞方式，主要適用于電視機、電腦顯示器、節能燈、鎮流器、程控交換機、電腦網絡設備、VCD/DVD、精密電子儀器儀表等直流和VHF級信號電路、旁路電路中起隔直流、耦合、濾波等作用。耐壓： 50/63V系列， 100V系列。容量： 103-105。CL21S超小型金屬化聚酯膜校正電容器使用進口超小型金屬化聚酯膜為介質/電極采用采用無感卷繞方式，CP線焊接引出，粉末環氧樹脂包封而成，具有體積小、重量輕、容量范圍寬、精度好、比容大及良好的自愈性，使用壽命長的特點，主要適用于電視機、電腦顯示器、節能燈、鎮流器、程控交換機、電腦網絡設備、VCD/DVD、精密電子儀器儀表等直流和VHF級信號電路、旁路電路中起隔直流、耦合、濾波等作用。瓷介電容瓷介電容可分為低壓低功率和高壓高功率，在低壓低功率中又可分為I型（CC型）和II型（CT型）。I型（CC型）特點是體積小，損耗低，電容對頻率，溫度穩定性都較高，常用于高頻電路。  II型（CT型）特點是體積小，損耗大，電容對溫度頻率，穩定性都較差，常用于低頻電路。1. 高頻圓片瓷介電容（CC）:電容量：1--6800p;額定電壓：63--500V;主要特點：高頻損耗小，穩定性好.應用：高頻電路。低頻瓷介電容（CT）。電容量：10p—4.7u。額定電壓：50V--100V。主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩定性差。應用：要求不高的低頻電路CC1型1類瓷介電容器。用途：CCI型1類瓷介電容器Q值高，容量穩定。用于諧振回路和需要補償溫度效應的電路中。63-500V。CS1型3類瓷介電容器。用途：作超高頻、寬頻帶旁路電容器及耦合電容器或使用于對損耗角正切、絕緣電阻要求不高的電路中。25V-50VCT71型2類交流瓷介電容器。用途：各類電子、電器設備，用于天線耦合，開關電路及跨接電源線等。250VacCT81型2類高壓瓷介電容器。用途：適用于1~3kV直流高壓旁路和耦合電路。開關電源的緩沖電路。2. 獨石（多層陶瓷）電容器的特點：電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩定，耐高溫耐濕性好等。應用范圍：廣泛應用于電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。容量范圍：0.5PF--1UF。耐壓：二倍額定電壓。獨石又叫多層瓷介電容，分兩種類型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一種叫II型，容量大，但性能一般。獨石電容最大的缺點是溫度系數很高,做振蕩器的穩漂讓人受不了。就溫漂而言:獨石為正溫糸數+130左右,CBB為負溫系數-230,用適當比例并聯使用,可使溫漂降到很小.云母電容云母電容是性能優良的高頻電容之一，廣泛應用于對電容的穩定性和可靠性要求高的場合。　云母電容（CY）：電容量：10p—0.1u。額定電壓：100V--7kV。主要特點：高穩定性，高可靠性，溫度系數小。應用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路。紙介電容紙介電容因其比率電容大，電容范圍寬，工作電壓高，成本低而廣泛使用，缺點是穩定性差，損耗大，只能應用于低頻或直流電路，目前已被合成膜電容取代，但在高壓紙介電容中還有一席之地。1.CZ52容量：0.1—0.25uf 額定工作電壓：110—250v。絕緣性能：0.1uf為10000monh 0.25uf 為8000mohm。損耗角正切：（正常氣候條件下） <0.01 2.金屬化紙介電容器：他的電極是利用真空蒸發的方法在電容器紙上沉積一層金屬薄膜做成，因而體積較紙介電容小得多。他的主要特點是具有自愈作用，當介質發生局部擊穿后，其電性能可立即恢復到擊穿前的狀態。金屬化紙介電容雖克服了紙介電容的一些缺點，但是仍然不能離開紙，他們的化學穩定性差，并且隨著頻率的上升損耗急劇增加，因此不適于高頻電路。CJ10容量：0.01—1uf 額定工作電壓：160—400v 。損耗角正切：（正常氣候條件下） <0.015 。電解電容1. CD71 無極性鋁電解電容器。本產品具有體積小、容量大、損耗低、無極性并能耐高溫等特點。本產品適用于儀器及電子設備的極性翻轉或極性交換線路中，特別適用于音響分頻網絡。在音響電路中，用得最多的是有機、無機介質和電解電容。有機電容又稱為薄膜電容，常見的有紙介、聚酯（ＭＹＬＡＲ，即滌淪）、聚苯乙烯（ＭＫＳ）、聚丙烯（ＭＫＰ）、聚碳酸酯（ＭＫＣ）、聚對苯二甲酸酯（ＭＫＴ）等。其中紙介、ＭＹＬＡＲ和ＭＫＰ三種電容又各自分為有、無金屬化介質兩種。金屬化介質的具有“自愈”作用，抗擊穿能力強，性能較好。ＭＹＬＡＲ和ＭＫＰ電容的無感性很好。無機電容以云母、瓷介、獨石、玻璃釉等為主。電解電容以鋁電解為代表，體積小而容量可以做到很大（幾十微法至兩、三萬微法），但其頻率特性、溫度特性都較差，絕緣電阻明顯低于薄膜電容（幾百兆歐），漏電阻大，介質損耗也較大，故只適合于作電源退耦，不宜用于音頻耦合及濾波器中。金屬化聚丙烯電容（ＭＫＰ）是一款頂級的發燒電容。國內以新德克、天逸等牌子著名，而國外則有法國的ＳＯＬＥＮ、德國的ＶＩＭＡ等聞名。該電容品質一流，其容量誤差小于３％，自身的電感量均小于５０ｎＨ，其諧波失真（ＴＨＤ）小于０．００１％，非常適宜作為級間耦合電容，而且還可用于并聯在電源退耦的電解電容兩端，可以有效地抑制電力網帶來的高頻干擾。但需要指出的是，ＭＫＰ電容雖然性能超卓，但并非是音頻電路的“萬能武器”，如在Ｄ／Ａ轉換器的輸出濾波器中就不宜選用ＭＫＰ電容，因為其超高頻性能并不太好。如實在要用，也只能用于低倍的Ｄ／Ａ中。高級的Ｄ／Ａ轉換器，以ＭＫＳ為佳，但這類電容的致命弱點是耐熱性能較差，焊接時宜掌握好時間。前面提到電解電容不宜用于音頻耦合，但對于一些音頻專用電解電容如ＢＬＡＣＫＧＡＴＥ、ＥＬＮＡＦＯＲＡＵＤＩＯ、ＳＩＬＭＩＣ牌電容則另當別論。這類電容的性能是非常不錯的，尤其是ＥＬＮＡＳＩＬＭＩＣ電容。筆者曾在自己的ＬＭ３８８６功放上做過試驗，當用兩只ＥＬＮＡＳＩＬＭＩＣ２２μＦ／２５Ｖ換下ＬＭ３８８６輸入端的Ｒｕｂｙｃｏｎ（紅寶色）的ＢＬＡＣＫＧＡＴＥ２２μＦ／２５Ｖ。開機放音時，明顯感覺音色變了，頗有幾分膽色，高、中音不再搶耳，低頻下潛了許多。驚喜之余，細細觀賞，這種電容外觀為棕色，印有ＥＬＮＡＳＩＬＭＩＣ金字，體積較大，接線腳為無氧銅材料，其介質損耗角ｔｇ＆特別低（僅０．０７），與ＭＫＰ的電容王牌ＳＯＬＥＮ已相差無幾，難怪有如此好的表現。由于電解電容的高頻特性較差，我們還可以在音頻專用電解電容兩端并聯一只薄膜電容，但其容量不應小于電解電容容量的１／３，尤以ＭＫＰ、ＭＫＴ電容為佳。鉭電解電容是近幾年冒出來的一匹“黑馬”，與鋁電解電容相比，漏電小，耐壓高，溫度特性好，體積小，曾被發燒友大量用于替代鋁電解電容，但其效果并不理想，中、高頻的表現柔軟乏力，缺乏一種清晰的分析力和穿透力，聲象定位也不理想，而且其容量不能做得很大，價格較貴，其諧波失真（０．７％～０．９％）反而比鋁電解電容（０．０１１％～０．０２５％）更大。相信發燒友都聽說過有發燒補品電容吧！但你知不知各種電容各有什么特性和音質表現呢？本文就此問題向廣大發燒友一一介紹：日本ELLNA補品電容：用料上乘，引腳采用無氧銅，線材粗壯鋁箔采用陶瓷微粒工藝，外觀點體積交大，最為突出表現是損耗角tgδ特別低。ELNA補品電容有幾種品種：CERAFINE(紅袍)、DUOREX(紫袍)、LongLife、SILMIC(棕神)、FOR  AUDIO。CERAFINE(紅袍)和DUOREX(紫袍)音質表現：音色通透、速度均屬中等；FOR  AUDIO的音質表現像青春少女一樣、音色甜美；LongLife和SILMIC(棕神)的音質表現：快速有力，適合表現現代音樂。另外ELNA還有藍袍，其音質表現中等。黑金剛（Black Gate F）:音色醇厚，對增加器材的音樂表現力大有幫助，適用于耦合。松下金字補品電容：音色均衡, 最為突出表現是損耗角tgδ值在100Hz與1KHz相差無幾。紅寶石（RUBYCON）電容：作耦合高低頻響較好、主要用在電源退耦，紅寶石電容是國產功放用得最多的品牌。日本三洋OS-CON電容：這種電容的電解質是固態的，其耐壓不高，OS-CON電容優點是高頻性能好，壽命長，是普通電容所不能比的。音質表現：音色甜美，非常自然。鉭電容：流電小、穩定性好，但作耦合高頻柔軟無力、缺乏穿透力、因而不適合作耦合，作退耦較好。德國WIMA電容：特點是速度快、損耗低，音質表現自然平衡，音色偏冷，適合多種聽音要求。WIMA電容品種較多，最好是Black Box，其次是MKP、 MKS，現在市面上多為拆機品，價格也不算貴。另一種是德國ERO電容，特性與WIMA相近。法國SOLEN電容：音色濃郁陰柔，富有音樂感。過于火辣的器材適合用SOLEN進補，最為突出表現是損耗角tgδ特別低，不愧為世界王牌聚丙烯電容！RIFA（澳洲瑞典）電容：這種電容最適合進補分頻器，對高頻穿透力極強。荷蘭湯姆遜MKP電容：音質表現自然平衡，中高頻比較豐富。與WIMA電容較接近。日本樂聲金屬化無感CBB電容：音質表現自然平衡比荷蘭湯姆遜MKP電容略低一籌音響電路中通常包括濾波、耦合、旁路、分頻等電容，如何在電路中更有效地選擇使用各種不同類型的電容器對音響音質的改善具有較大的影響。耦合電容耦合電容的容量一般在 0.1μF - 10μF 之間，以使用云母、聚丙烯、陶瓷等損耗較小的電容音質效果較好,主要品牌有：1、德國WIMA電容：特點是速度快、損耗低，音質表現自然平衡，音色偏冷，適合多種聽音要求。WIMA電容品種較多，最好是Black Box，其次是MKP、 MKS，現在市面上多為拆機品，價格也不算貴。另一種是德國ERO電容，特性與WIMA相近。2、法國SOLEN電容：音色濃郁陰柔，富有音樂感。過于火辣的器材適合用SOLEN進補，最為突出表現是損耗角tgδ特別低，不愧為世界王牌聚丙烯電容！3、RIFA（澳洲瑞典）電容：這種電容最適合進補分頻器，對高頻穿透力極強。4、荷蘭湯姆遜MKP電容：音質表現自然平衡，中高頻比較豐富。與WIMA電容較接近。前置放大器、分頻器等前置放大器、音頻控制器、電子分頻器上使用的電容，其容量在 100pF- 0.1μF 之間；宜采用云母，苯乙烯電容。音箱分頻 LC 網絡一般采用 1μF- 數10μF 之間容量較大的電容，目前高檔分頻器中采用 MKP、MKT、CBB 電容較多。 LC 網絡使用的電容，容量較大，應使用金屬化塑料薄膜或無極性電解電容器，其中無機性電解電容如采用非蝕刻式，則更能獲取極佳音質。濾波電容整流后由于濾波用的電容器容量較大，故必須使用電解電容。濾波電容用于前置放大器時，容量為 1000μF 左右即可，用于功率放大器時，其值應為10000μF 以上。當電源濾波電路直接供給放大器工作時，其容量越大音質越好。但大容量的電容將使阻抗從 10KHz 附近開始上升。這時應采取幾個稍小電容并聯成大電容同時也應并聯幾個薄膜電容作為高頻補償，在大電容旁以抑制高頻阻抗的上升。